新聞中心

NEWS CENTER

公司新聞

行業新聞

首頁

半導體工藝方法和半導體工藝設備與流程

發布時間：

2023-04-14

在自動化半導體生產線上，半導體工藝設備(如，立式熱處理爐)的控制系統通常以任務(job)為單位控制半導體工藝組件(例如，可包括反應腔室、機械手等)完成半導體工藝，即，控制系統逐個任務地執行半導體工藝，每一晶圓加工任務的任務信息均包括晶圓傳入反應腔室至完成工藝后傳出工藝腔室的整個加工工序的流程信息。
例如，晶圓加工任務信息可以包含傳輸配方(load map recipe)和工藝配方(process recipe)，其中，傳輸配方包含晶圓(wafer)的傳輸路徑以及各工位的位置分布情況等，工藝配方為涉及晶圓加工工藝的指令集合，用戶可以通過編輯工藝配方中的各工藝步(step)來設置加工晶圓的必要控制條件，如溫度、氣體、壓力、時間等，使晶圓的表面上形成所需的薄膜。
隨著半導體工藝設備所執行的晶圓加工任務逐漸增加，反應腔室(如，立式熱處理爐的爐管)內部沉積的薄膜厚度也隨之增加，因此為避免該薄膜影響半導體工藝的正常進行，通常需每隔一段時間對反應腔室內部進行清潔，以保證晶圓成膜的合格率和設備的使用壽命。
具體地，工作人員在觀測到反應腔室內部沉積的薄膜厚度較厚時，對控制系統進行手動操作，使控制系統在完成當前晶圓加工任務后，控制半導體工藝組件執行腔室清潔任務，而后再手動操作控制系統，使之繼續控制半導體工藝組件執行下一晶圓加工任務。
該腔室清潔任務的信息可包含清潔工藝配方(purge recipe)，具體可包含將晶舟(boat)升至爐管(tube)的頂端，使爐管處于封閉狀態，并向封閉的爐管環境中通入特殊氣體，進而通過物理或化學方式將爐管內壁和晶舟表面的雜質去除并排出的一系列指令集合。
然而，在現有技術中，不僅反應腔室內部沉積的薄膜厚度需要人工觀測、記錄，腔室清潔任務前后也需要操作人員手動操作控制系統改變任務狀態，不僅容易存在較大的人為記錄誤差，還需要耗費大量人力及人工操作時間，延長了停工時間(downtime)和維護保養時間(maintenancetime)，影響半導體工藝生產線的生產節奏。
因此，如何提供一種能夠實現自動化清潔反應腔室的半導體工藝方法及半導體工藝設備，成為本領域亟待解決的技術問題。